參數(shù)資料
型號(hào)： KSE801
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 73K
代理商： KSE801
NPN EPITAXIAL
KSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSE802 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE803 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSF30A20B Low Forward Voltage drop Diode
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參數(shù)描述
KSE801STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE802 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
KSE802STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE803 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
KSE803S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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