參數(shù)資料
型號(hào)： KSE800
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： KSE800
NPN EPITAXIAL
KSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSE801 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE802 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE803 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSF30A20B Low Forward Voltage drop Diode
KSF30A20E DIFFUSION-TYPE SILICON DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSE800_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
KSE800S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE800STSSTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE800STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE801 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
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