參數(shù)資料
型號： KSE703
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 52K
代理商： KSE703
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0
-1
-2
-3
-4
-5
I
B
= -400
μ
s
I
B
= -300
μ
s
I
B
= -1000
μ
s
I
= -900
μ
s
I
B
= -800
μ
s
I
B
= -700
μ
s
I
B
= -600
μ
s
I
B
= -500
μ
s
I
B
= -200
μ
s
I
B
= -100
μ
s
I
C
[
V
CE
(V),COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
10
100
1k
10k
V
CE
= -3V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
I
C
= 500 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
f=0.1MHZ
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-1
-10
-100
MJE702/703
DC
5ms
1ms
MJE700/701
100
μ
s
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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