參數(shù)資料
型號： KSE701
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： KSE701
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
K
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSE703 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
KSE800 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE801 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE802 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE803 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSE701STU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE702 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
KSE702S 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE702STU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE703 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
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