參數(shù)資料
型號(hào)： KSE45H7
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Power Switching Applications
中文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 40K
代理商： KSE45H7
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSE45H 1,2
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
*DC Current Gain
: KSE45H 1, 4, 7 10
: KSE45H 2, 5, 8,11
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
: KSE45H 1, 4, 7 10
: KSE45H 2, 5, 8,11
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty cycle
≤
2%
Parameter
Value
- 30
- 45
- 60
- 80
- 5
- 10
- 20
50
1.67
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
: KSE45H 4,5
: KSE45H 7,8
: KSE45H 10,11
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter
-
Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
V
CE
= Rated, V
CEO
, V
EB
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 1V, I
C
= - 2A
Min.
Typ.
Max.
-10
-100
Units
μ
A
μ
A
35
60
I
C
= - 8A, I
B
= - 0.8A
I
C
= - 8A, I
B
= - 0.4A
I
C
= - 8A, I
B
= - 0.8A
V
CE
= - 10V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
V
CC
=20V, I
C
= - 5A
I
B1
= - I
B2
= - 0.5A
-1
-1
-1.5
V
V
V
40
230
135
500
100
MHz
pF
ns
ns
ns
KSE45H Series
General Purpose Power Switching Applications
Low Collector-Emitter Saturation Voltage: V
CE
(sat) = -1V (MAX)@-8A
Fast Switching Speeds
Complement to KSE44H
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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PDF描述
KSE45H8 General Purpose Power Switching Applications
KSE45H General Purpose Power Switching Applications
KSE5740 High Voltage Power Switching In Inductive Circuits
KSE5741 High Voltage Power Switching In Inductive Circuits
KSE5742 High Voltage Power Switching In Inductive Circuits
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參數(shù)描述
KSE45H8 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE45H8TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE5020 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Feature
KSE5020AS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE5020S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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