參數(shù)資料
型號(hào): KSD401
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: TV Vertical Deflection Output
中文描述: 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: KSD401
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
B
= 1mA
I
B
= 2mA
I
B
= 3mA
I
B
= 4mA
I
B
= 5mA
I
B
= 6mA
I
B
= 7mA
I
B
= 8mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 10V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
10
100
1000
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
10
100
0.1
1
10
*1ms
Thermal limitation
1. Tc=25
2. *single pulse
S/B limitation
S/B limitation
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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KSD401G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD401O 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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