參數(shù)資料
型號(hào)： KSD401
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： TV Vertical Deflection Output
中文描述： 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： KSD401
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
200
150
5
2
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 500uA, I
E
= 0
I
C
= 10mA, I
B
= 0
I
E
= -500uA, I
C
= 0
V
CB
= 150V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 0.4A
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.4A
Min.
200
150
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
50
400
1
40
V
5
MHz
R
O
Y
G
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSD401
TV Vertical Deflection Output
Collector-Base Voltage : V
CBO
=200V
Collector Current : I
C
=2A
Collector Dissipation : P
C
=25W(T
C
=25
°
C)
Complement to KSB546
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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KSD401G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD401O 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD401Y 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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