參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1944
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Gain Power Transistor
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： KSD1944
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
B
= 1.2mA
I
B
= 0.8mA
I
B
= 0.4mA
I
B
= 1mA
I
B
= 0.6mA
I
B
= 0.2mA
I
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
10000
V
CE
= 4V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Ic = 40 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
DC
I
C
MAX(DC)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSD2012 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
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KSD2012YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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