參數(shù)資料
型號(hào)： KSD261CGTA_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： KSD261CGTA_NL
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
40
20
5
500
500
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=0.1A
I
C
=0.5A, I
B
=50mA
Min.
40
20
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
400
0.4
40
0.18
V
R
O
Y
G
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSD261
Low Frequency Power Amplifier
Complement to KSA643
Collector Power Dissipation : P
C
=500mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述
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KSD261 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CGBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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