參數(shù)資料
型號： KSD1273
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High hFE, AF Power Amplifier
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： KSD1273
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, June 2001
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Collector Output Capacitance
Figure 8. Current Gain Bandwidth Product
Figure 9. Safe Operating Area
Figure 10. Power Derating
1
10
100
1000
1
10
100
1000
f = 1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTO-BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
f
T
[
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
1S
1m
DC
I
C
max(pulse)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
( 3)
( 2)
( 1)
(1): T
=T
(2): With a 100x100x2mm
AL Heat Sink
(3): Without Heat Sink
(P
C
=2W)
P
C
[
T
A
[
o
C], TEMPERATURE
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KSD1273P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSD1273PTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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