參數(shù)資料
型號： KSD1222
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSD1222
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, January 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
I
B
= 0
225
μ
A
250
μ
A
275
μ
A
200
μ
A
I
B
=300
μ
A
I
B
= 175
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
10000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
I
C
= 500I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
0
1
2
3
4
V
CE
=2V
I
C
[
V
BE
[V], BASE EMITTER VOLTAGE
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
C
1ms
I
C
MAX. (DC)
DC
10ms
I
C
MAX. (PULSE)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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