參數(shù)資料
型號： KSC2690Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Audio Frequency High Frequency Power Amplifier
中文描述： 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： KSC2690Y
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
B
=0mA
I
B
=1mA
I
B
=2mA
I
B
=3mA
I
B
=4mA
I
B
=5mA
I
B
=6mA
I
B
=7mA
I
B
=8mA
I
B
=9mA
I
B
=10mA
Pulse Test
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
1
0.01
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 5V
Pulse Test
h
F
,
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 I
B
Pulse Test
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
1
10
100
1000
f = 1MHz
I
E
= 0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
Pulse Test
f
T
[
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
KSC2690A
V
CEO
MAX
KSC2690 V
CEO
MAX
Lmted
PW=100s
1m
10ms
DC(PW=50m)
I
C
(max) Pulse
I
C
(max) DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSC2690YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSC2710GBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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