參數(shù)資料
型號(hào)： KSC2690Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Audio Frequency High Frequency Power Amplifier
中文描述： 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 50K
代理商： KSC2690Y
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classificntion
Classification
Parameter
Value
Units
: KSC2690
: KSC2690A
120
160
V
V
V
CEO
Collector- Emitter Voltage
: KSC2690
: KSC2690A
120
160
5
1.2
2.5
0.3
1.2
20
150
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current(DC)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
- 55 ~ 150
Test Condition
V
CB
= 120V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 5mA
V
CE
= 5V, I
C
= 0.3A
I
C
= 1A, I
B
= 0.2A
I
C
= 1A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.2A
V
CB
=10V, I
E
=0, f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
1
1
Units
μ
A
μ
A
* DC Current Gain
35
60
105
140
0.4
1
155
19
320
0.7
1.3
V
V
MHz
pF
R
O
Y
h
FE2
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
KSC2690/2690A
Audio Frequency
High Frequency Power Amplifier
Complement to KSA1220/KSA1220A
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSC2690YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSC2710GBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2710GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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