參數(shù)資料
型號(hào)： KSA1220
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier
中文描述： 1.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： KSA1220
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage : KSA1220
*
PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classification
Classification
h
FE2
Parameter
Ratings
- 120
- 160
- 120
- 160
- 5
- 1.2
- 2.5
- 0.3
1.2
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
: KSA1220A
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : KSA1220
: KSA1220A
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
V
CB
= - 120V, I
E
= 0
V
EB
= - 3V, I
C
= 0
V
CE
= - 5V, I
C
= - 5mA
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.3A
I
C
= - 1A, I
B
= - 0.2A
I
C
= - 1A, I
B
= - 0.2A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.2A
V
CB
= - 10, I
E
= 0
f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
- 1
- 1
Units
μ
A
μ
A
* DC Current Gain
35
60
150
140
- 0.4
- 1
175
26
320
- 0.7
- 1.3
V
V
MHz
pF
R
O
Y
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
KSA1220/1220A
Audio Frequency Power Amplifier
High Frequency Power Amplifier
Complement to KSC2690/KSC2690A
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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KSA1220AYS 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1220AYSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil 6mm Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1220YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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