參數(shù)資料
型號(hào)： KSA1242
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Medium Power Amplifier Camera Flash Applications
中文描述： 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： KSA1242
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Collector Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
- 35
- 20
- 8
- 5
- 8
10
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
I
E
= - 1mA, I
C
= 0
V
CB
= - 35V, I
E
= 0
V
EB
= - 8V, I
C
= 0
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 4A
I
C
= - 4A, I
B
= - 0.1A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 4A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
Min.
- 20
- 8
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
μ
A
- 100
- 100
320
DC Current Gain
100
70
- 1
- 1.5
V
V
180
50
MHz
pF
O
Y
h
FE1
100 ~ 200
160 ~ 320
KSA1242
Medium Power Amplifier
Camera Flash Applications
h
FE
= 100~320 (V
CE
= -2V, I
C
= -0.5V)
h
FE
= 70 (Min.) (V
CE
= -2V, I
C
= -4A)
Low Saturation Voltage: V
CE
(sat) = -1V (Max.)
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PAK
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSA1243 Power Amplifier Applications
KSA1281OTA Audio Power Amplifier
KSA1281O Audio Power Amplifier
KSA1281Y Audio Power Amplifier
KSA1281 Audio Power Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSA1242OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1242YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1243 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
KSA1243OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1243YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*