參數(shù)資料
型號(hào)： KMM374F213BK
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 72 DRAM DIMM(2Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
中文描述： 200萬(wàn)× 72的DRAM內(nèi)存（2Mx72動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 1/20頁(yè)
文件大小： 385K
代理商： KMM374F213BK
DRAM MODULE
KMM374F213BK
KMM374F203BK
KMM374F203BK & KMM374F213BK EDO Mode without buffer
2M x 72 DRAM DIMM with ECC based on 2Mx8, 4K & 2K Refresh, 3.3V
The Samsung KMM374F20(1)3BK is a 2Mx72bits Dynamic
RAM high density memory module. The Samsung
KMM374F20(1)B consists of nine CMOS 2Mx8bits DRAMs in
SOJ 300mil package and one 1K/2K EEPROM for SPD in 8-
pin TSSOP package mounted on a 168-pin glass-epoxy sub-
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on
the
printed
circuit
board
KMM374F20(1)3B is a Dual In-line Memory Module and is
intended for mounting into 168 pin edge connector sockets.
for
each
DRAM.
The
GENERAL DESCRIPTION
FEATURES
PERFORMANCE RANGE
Speed
t
RAC
t
CAC
t
RC
t
HPC
-5
50ns
13ns
90ns
25ns
-6
60ns
15ns
110ns
30ns
Part Identification
-KMM374F203BK (4096 cycles/64ms Ref. SOJ)
-KMM374F213BK (2048 cycles/32ms Ref. SOJ)
New JEDEC standard proposal without buffer
Serial Presence Detect with EEPROM
Extended Data Out Mode Operation
CAS-before-RAS Refresh capability
RAS-only and Hidden refresh capability
LVTTL compatible inputs and outputs
Single +3.3V
±
0.3V power supply
PCB : Height(1000mil), single sided component
PIN CONFIGURATIONS
NOTE : A12 is used for only KMM374F203BK (4K ref.)
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Front
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
CC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
V
CC
W0
CAS0
Pin
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
Front
CAS1
RAS0
OE0
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
*A12
V
CC
V
CC
DU
V
SS
OE2
RAS2
CAS2
CAS3
W2
V
CC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
Pin
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
Front
DQ18
DQ19
V
CC
DQ20
NC
DU
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
**SDA
**SCL
V
CC
Pin
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
Back
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
CC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
V
CC
DU
CAS4
Pin
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
Back
CAS5
*RAS1
DU
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
*A13
V
CC
DU
DU
V
SS
DU
*RAS3
CAS6
CAS7
DU
V
CC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
Pin
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
Back
DQ50
DQ51
V
CC
DQ52
NC
DU
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
NC
NC
**SA0
**SA1
**SA2
V
CC
PIN NAMES
* These pins are not used in this modeule.
** These pins should be NC in the system which does
not support SPD.
Pin Name
A0 - A11
A0 - A10
DQ0 - DQ63
W0, W2
OE0, OE2
RAS0, RAS2
CAS0 - CAS7
V
CC
V
SS
NC
DU
**SDA
**SCL
**SA0 -**SA2
CB0 - CB7
Function
Address Input(4K ref.)
Address Input(2K ref.)
Data In/Out
Read/Write Enable
Output Enable
Row Address Strobe
Colume Address Strobe
Power(+3.3V)
Ground
No Connection
Don
′
t use
Serial Address /Data I/O
Serial Clock
Address in EEPROM
Check Bit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM374F203BK 2M x 72 DRAM DIMM(2Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM374F213CK 2M x 72 DRAM DIMM(2Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM374F203CK 2M x 72 DRAM DIMM(2Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM374F803BK1 8M x 72 DRAM DIMM(8Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM375S1620BT 16Mx72 SDRAM DIMM(16M x 72 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM374S403CT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC100 SDRAM MODULE
KMM38 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM39 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM391M400MCND 制造商:United Chemi-Con 功能描述:SN400X139 UCC S6L9A
KMM4 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
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