參數(shù)資料
型號： KMM332V224BT-L
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊)
中文描述： 200萬× 32內(nèi)存的SODIMM（動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 1/15頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： KMM332V224BT-L
DRAM MODULE
KMM332V204BT-L
KMM332V224BT-L
KMM332V204BT-L & KMM332V224BT-L with Fast Page Mode
2M x 32 DRAM SODIMM, using1MX16, 4K & 1K Ref., 3.3V, Low power/Self-Refresh
The Samsung KMM332V20(2)4BT is a 2M x 32 bits Dynamic
RAM
high
density
memory
KMM332V20(2)4BT consists of four CMOS 1Mx16bits DRAMs
in 44-pin TSOPII packages mounted on a 72-pin six layer zig-
zag glass-epoxy substrate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capaci-
tor is mounted on the printed circuit board for each DRAM.
The KMM332V20(2)4BT is a Small Out-line Dual In-line Mem-
ory Module with edge connections and is intended for mount-
ing into 72 pin dual readout zigzag edge connector sockets.
PERFORMANCE RANGE
module.
The
Samsung
Part Identification
- KMM332V204BT -L5/L6
(4096 cycles/128ms Ref, TSOP, Low Power, 50/60ns)
- KMM332V224BT -L5/L6
(1024 cycles/128ms Ref, TSOP, Low Power, 50/60ns)
Fast Page Mode Operation
CAS-before-RAS Refresh capability
RAS-only and Hidden refresh capability
Self refresh capability
LVTTL compatible inputs and outputs
Single +3.3V
±
0.3V power supply
JEDEC standard PDPin & pinout (72pin)
PCB : Height(1000mil), double sided component
GENERAL DESCRIPTION
FEATURES
Speed
tRAC
tCAC
tRC
-L5
50ns
15ns
90ns
-L6
60ns
15ns
110ns
PIN CONFIGURATIONS
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Symbol
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
PD1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
NC
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A7
A11
V
CC
A8
A9
RAS3
RAS2
DQ16
NC
Pin
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
Symbol
DQ18
DQ19
Vss
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
NC
DQ27
DQ28
DQ29
DQ31
DQ30
V
CC
DQ32
DQ33
DQ34
NC
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
Vss
PIN NAMES
Pin Name
Function
A0 - 11
Address Inputs (4K ref)
A0 - A9
Address Inputs (1K ref)
DQ(0 -7,9-16,
18-25,27-34)
Data In/Out
W
Read/Write Input
RAS0-RAS3
Row Address Strobe
CAS0-CAS3
Column Address Strobe
PD1 -PD7
Presence Detect
V
CC
Power(+3.3V)
Vss
Ground
NC
No Connection
PRESENCE DETECT PINS (Optional)
* ( ) : 4K Refresh PD pin option
* Pin Connection Changing Available
Pin
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
50NS
NC
Vss
Vss(NC)
Vss
Vss
Vss
NC
60NS
NC
Vss
Vss(NC)
Vss
NC
NC
NC
NOTE : A10 & A11 are used for only KMM332V204BT (4K ref.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM350S823BT1 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊)
KMM364C224BJ 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM366F224BJ1 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM366F410CK1 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM366F400CK1 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM34 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM35 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
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