參數(shù)資料
型號(hào): KMM350S823BT1
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動(dòng)態(tài)RAM模塊)
中文描述: 8米× 72 SDRAM的內(nèi)存(8米× 72同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁(yè)數(shù): 1/14頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商: KMM350S823BT1
REV. 4 Aug. 1998
Preliminary
KMM350S823BT1
SDRAM MODULE
Revision History
Revision 3 (July 1998)
- "REGE" description is changed.
Revision 4 ( Aug. 1998)
- Package Dimension changed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM364C224BJ 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
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參數(shù)描述
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM36 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM366S1623AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD