參數(shù)資料
型號: KMM332F803AS-L5
英文描述: x32 EDO Page Mode DRAM Module
中文描述: X32號,江戶頁面模式內(nèi)存模塊
文件頁數(shù): 1/6頁
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代理商: KMM332F803AS-L5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM332F803AS-L6 x32 EDO Page Mode DRAM Module
KMM332V400CS 4M x 32 DRAM SODIMM(4M x 32動態(tài) RAM模塊)
KMM332V410CS 4M x 33 DRAM SODIMM(4M x 32動態(tài) RAM模塊)
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KMM364C1600BK 16M x 64 DRAM DIMM(16M x 64 動態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM332F803AS-L6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module
KMM34 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM35 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors