參數(shù)資料
型號： KMM332V400CS
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 32 DRAM SODIMM(4M x 32動態(tài) RAM模塊)
中文描述： 4米× 32內(nèi)存的SODIMM（4米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 1/15頁
文件大小： 236K
代理商： KMM332V400CS
DRAM MODULE
KMM332V400CS-L
KMM332V410CS-L
KMM332V400CS-L & KMM332V410CS-L with Fast Page Mode
4M x 32 DRAM SODIMM Using 4MX4, 4K & 2K Ref., 3.3V, Low power/Self-Refresh
The Samsung KMM332V40(1)0CS is a 4Mx32bits Dynamic
RAM
high
density
memory
KMM332V40(1)0CS consists of eight CMOS 4Mx4bits
DRAMs in 24-pin TSOPII packages mounted on a 72-pin six
layer zigzag glass-epoxy substrate. A 0.1 or 0.22uF decou-
pling capacitor is mounted on the printed circuit board for each
DRAM. The KMM332V40(1)0CS is a Small Out-line Dual In-
line Memory Module with edge connections and is intended for
mounting into 72-pin dual readout zigzag edge connector
sockets.
PERFORMANCE RANGE
t
RAC
module.
The
Samsung
Part Identification
- KMM332V400CS-L5/L6
(4096 cycles/128ms Ref, TSOP, Low Power, 50/60ns)
- KMM332V410CS-L5/L6
(2048 cycles/128ms Ref, TSOP, Low Power, 50/60ns)
Fast Page Mode Operation
CAS-before-RAS Refresh capability
RAS-only and Hidden refresh capability
LVTTL compatible inputs and outputs
Single +3.3V
±
0.3V power supply
JEDEC standard PDPin & pinout (72pin)
PCB : Height(1000mil), double sided component
GENERAL DESCRIPTION
FEATURES
PIN CONFIGURATIONS
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Symbol
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
PD1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
NC
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A7
A11
V
CC
A8
A9
NC
RAS2
DQ16
NC
Pin
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
Symbol
DQ18
DQ19
V
SS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
W
NC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
NC
DQ27
DQ28
DQ29
DQ31
DQ30
V
CC
DQ32
DQ33
DQ34
NC
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
PIN NAMES
Pin Name
Function
A0 - 11
Address Inputs (4K ref)
A0 - 10
Address Inputs (2K ref)
DQ(0 -7,9-16,
18-25,27-34)
Data In/Out
W
Read/Write Enable
RAS0, RAS2
Row Address Strobe
CAS0 - CAS3
Column Address Strobe
PD1 -PD7
Presence Detect
V
CC
Power(+3.3V)
V
SS
Ground
NC
No Connection
PRESENCE DETECT PINS (Optional)
* Pin Connection Charging Available
Pin
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
50NS
NC
NC
V
SS
NC
V
SS
V
SS
NC
60NS
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
Speed
t
CAC
t
RC
-L5
50ns
13ns
90ns
-L6
60ns
15ns
110ns
NOTE : A11 is used for only KMM332V400CS (4K ref.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM332V410CS 4M x 33 DRAM SODIMM(4M x 32動態(tài) RAM模塊)
KMM364C1680BK 16M x 64 DRAM DIMM(16M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM364C1600BK 16M x 64 DRAM DIMM(16M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM364C213BK 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM364C213CK 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
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參數(shù)描述
KMM34 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM35 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
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