參數(shù)資料
型號: KM736FV4022
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM)
中文描述: 128K × 36至同步SRAM(128K × 36至位同步靜態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 11/12頁
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代理商: KM736FV4022
PRELIMINARY
Rev 0.2
Jan. 1998
KM718FV4022
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
- 11
KM736FV4022
JTAG DC OPERATING CONDITIONS
NOTE
: 1. The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
3.15
3.3
3.45
V
Input High Level
V
IH
2.0
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.8
V
Output High Voltage(I
OH
=-2mA)
V
OH
2.4
-
V
DD
V
Output Low Voltage(I
OL
=2mA)
V
OL
V
SS
-
0.4
V
JTAG TIMING DIAGRAM
JTAG AC TEST CONDITIONS
NOTE
: 1. See SRAM AC test output load on page 5.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
3.0/0.0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
2.0/2.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
1.5
V
1
TCK
TMS
TDI
TDO
t
CHCH
t
CHCL
t
CLCH
t
DVCH
t
CHDX
t
CLQV
t
MVCH
t
CHMX
JTAG AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
SRAM Input Setup Time
t
SVCH
5
-
ns
SRAM Input Hold Time
t
CHSX
5
-
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
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PDF描述
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