參數(shù)資料
型號(hào)： KM68V4002B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating)(512K x8位高速CMOS 靜態(tài) RAM)
中文描述： 512Kx8位高速靜態(tài)RAM（3.3V的工作）（為512k x8位高速的CMOS靜態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： KM68V4002B
KM68V4002B/BL, KM68V4002BI/BLI
CMOS SRAM
PRELIMINARY
Rev 2.1
June 1998
- 5 -
WRITE CYCLE
NOTE: The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range.
Parameter
Symbol
KM68V4002B/BL-10
KM68V4002B/BL-12
KM68V4002B/BL-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
10
-
12
-
15
-
ns
Chip Select to End of Write
t
CW
7
-
8
-
10
-
ns
Address Set-up Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Address Valid to End of Write
t
AW
7
-
8
-
10
-
ns
Write Pulse Width(OE High)
t
WP
7
-
8
-
10
-
ns
Write Pulse Width(OE Low)
t
WP1
10
-
12
-
15
-
ns
Write Recovery Time
t
WR
0
-
0
-
0
-
ns
Write to Output High-Z
t
WHZ
0
5
0
6
0
7
ns
Data to Write Time Overlap
t
DW
5
-
6
-
7
-
ns
Data Hold from Write Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
End Write to Output Low-Z
t
OW
3
-
3
-
3
-
ns
Address
Data Out
Previous Valid Data
Valid Data
TIMMING DIAGRAMS
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1)
(Address Controlled
,
CS=OE=V
IL
, WE=V
IH
)
t
AA
t
RC
t
OH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM68V4002BI 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating)(512K x8位高速CMOS 靜態(tài) RAM)
KM718FV4011 256Kx18 Synchronous SRAM(256Kx18位同步靜態(tài) RAM)
KM736FV4011 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM)
KM718FV4021 256Kx18 Synchronous SRAM(256Kx18位同步靜態(tài) RAM)
KM736FV4021 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM-6LP 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:LOW PROFILE MINI ASSORTME - Bulk 制造商:COOPER INDUSTRIES 功能描述:LOW PROFILE MINI ASSORTME 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:LOW PROFILE MINI ASSORTME
KM6TMS9929 制造商:Texas Instruments 功能描述:
KM7000KIT 制造商:COMARK 功能描述:PH METER R
KM703N 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM703N-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
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