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參數資料
| 型號： | KM6164000BLTI-10L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 256Kx16位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | KM6164000BLTI-10L |
KM6164000B Family
CMOS SRAM
Revision 4.01
June 1998
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM6164000BLTI-7L | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164000BLI-L | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164000B | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164000BL-L | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164000BLRI-10L | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KM6164000BLTI-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164002 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| KM6164002AJ-20 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM6164002E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| KM6164002I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
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