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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM6164000BLI-L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 256Kx16位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | KM6164000BLI-L |
KM6164000B Family
CMOS SRAM
Revision 4.01
June 1998
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KM6164000B | 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM6164000BL-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6164000BLRI-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6164000BLRI-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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