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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM48S8030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(2M x 8位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 200萬× 8位× 4銀行同步DRAM（2米× 8位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 28/43頁 |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | KM48S8030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
*Note :
1. All input expect CKE & DQM can be don't care when CS is high at the CLK high going edge.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command
BA0
0
0
1
1
0
0
1
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank C active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank D active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank C at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank D at end of burst.
4. A10/AP and BA0~BA1 control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
0
1
BA1
0
1
0
1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
Bank C
Bank D
BA1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
x
Precharge
Bank A
Bank B
Bank C
Bank D
All Banks
A10/AP
0
0
0
0
1
BA1
0
0
1
1
x
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM48S8030D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48V2000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM48V2100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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