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參數(shù)資料
| 型號： | KM432S2030CT-F8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 2/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1161K |
| 代理商： | KM432S2030CT-F8 |
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KM432S2030C
CMOS SDRAM
REV. 1.1 Mar. '99
- 2 -
Revision 1.1 (March 12th, 1999)
Corrected typo in ordering information on page 3
Revision 1.0 (March 8th, 1999) - Final Spec
Removed KM432S2030C-Z@CL2 part (125MHz@CL2)
Changed tRDL from 1CLK to 2CLK for every clock frequency. For -6/7/8/10, tRDL=1CLK product can be supported
within restricted amounts and it will be distinguished by bucket code "NV"
Revision 0.3 (March 5th, 1999) - Preliminary Spec
Revision 0.2 (February 13th, 1999)
Removed KM432S2030C-7@CL2 part (115MHz@CL2)
Changed VDD condition of KM432S2030C-8@CL2 from 3.135V to 3.0V~3.6V.
Changed AC Characteristic table format
Add KM432S2030C-Z part.
Revision 0.1 (December 2nd, 1998)
Delete refresh information(4K/64ms)
Revision 0.0 (November 20th, 1998)
Define target specification.
Revision History
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM432S2030CT-G10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G7 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G8 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM432S2030CTG10 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
| KM432S2030CT-G10 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 3.3V 86-Pin TSOP-II |
| KM432S2030CT-G6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM432S2030CT-G7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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