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參數(shù)資料
| 型號： | KM416V254DL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
| 中文描述： | 256 × 16位分辨率的CMOS擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)存儲器（256K × 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）） |
| 文件頁數(shù)： | 8/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 777K |
| 代理商： | KM416V254DL |
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KM416C254D/DL, KM416V254D/DL
CMOS DRAM
If
RAS
goes high before CAS high going, the open circuit condition of the output is achieved by CAS high going. If CAS
goes
high before RAS high going, the open circuit condition of the output is achieved by RAS going.
t
ASC
,
t
CAH
are referenced to the earlier CAS rising edge.
t
CP
is specified from the last CAS rising edge in the previous cycle to the first CAS falling edge in the next cycle.
t
CWD
is referenced to the later CAS falling edge at word red-modify-write cycle.
t
CWL
is specified from W falling edge to the earlier CAS rising edge.
t
CSR
is referenced to earlier CAS falling low before RAS transition low.
t
CHR
is referenced to the later CAS rising high after RAS transition low.
t
CSR
t
CHR
RAS
LCAS
UCAS
t
DS
t
DH
LCAS
DQ0 ~ DQ15
Din
20.
18.
17.
16.
13.
15.
14.
19.
UCAS
W
t
DS
, t
DH
are specified for the earlier CAS falling low.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| KM416V4004B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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