參數(shù)資料
型號： KFG1G16Q2M-DIB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 113/125頁
文件大小： 1657K
代理商： KFG1G16Q2M-DIB6
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
113
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Note: 1) Bootcode copy operation starts 400us later than POR activation.
The system power should reach Vcc after POR triggering level(typ. 1.5V) within 400us for valid boot code data.
2) 1K bytes Bootcode copy takes 70us(estimated) from sector0 and sector1/page0/block0 of NAND Flash array to BootRAM.
Host can read Bootcode in BootRAM(1K bytes) after Bootcode copy completion.
3) INT register goes ‘Low’ to ‘High’ on the condition of ‘Bootcode-copy done’ and RP rising edge.
If RP goes ‘Low’ to ‘High’ before ‘Bootcode-copy done’, INT register goes to ‘Low’ to ‘High’ as soon as ‘Bootcode-copy done’
System Power
Sleep
Bootcode copy
Idle
Bootcode - copy done
POR triggering level
3)
2)
RP
INT
OneNAND
Operation
0 (default)
1
IOBE bit
1 (default)
INTpol bit
High-Z
1)
INT bit
0 (default)
1
6.11 Cold Reset Timing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2M-DIB FLASH MEMORY
KFG1G16U2M-DIB6 FLASH MEMORY(54MHz)
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參數(shù)描述
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KFG1G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2C-AIB6000 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray
KFG1G16U2D-HIB6000 制造商:Samsung SDI 功能描述:
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