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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 101/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DIB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁當(dāng)前第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
101
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Note 1. CE should be VIH for RDY. IOBE should be ’0’ for INT.
Note 2. Icc active for Host access
Note 3. ICC active for Internal operation. (without host access)
Note 4. Vccq is equivalent to Vcc-IO
Parameter
Symbol
Test Conditions
1.8V device
Unit
Min
Typ
Max
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
,
CE or OE=V
IH
(Note 1)
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Active Asynchronous Read Cur-
rent (Note 2)
I
CC1
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
mA
Active Burst Read Current (Note
2)
I
CC2
CE=V
IL
, OE=V
IH
54Mhz
-
12
20
mA
1MHz
-
3
4
mA
54Mhz
(DDP/
QDP)
-
17
22
mA
1MHz
(DDP/
QDP)
-
3
4
mA
Active Write Current (Note 2)
I
CC3
CE=V
IL
, OE=V
IH
Single
-
8
15
mA
DDP
-
13
20
mA
Active Load Current (Note 3)
I
CC4
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
30
40
mA
Active Program Current (Note 3)
I
CC5
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
25
30
mA
Active Erase Current (Note 3)
I
CC6
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
20
25
mA
Multi Block Erase Current (Note
3)
I
CC7
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
, 64blocks
-
20
25
mA
Standby Current
I
SB
CE= RP=V
CC
±
0.2V
Single
-
10
50
μ
A
DDP
-
20
100
QDP
-
40
180
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.4
V
Input High Voltage (Note4)
V
IH
-
V
CCq
-0.4
-
V
CCq
+0.
4
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
-
-
0.2
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
V
CCq
-0.1
-
-
V
4.3 DC Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16U2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2C-AIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16U2D-HIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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