- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373124 > KFG1216D2A-FED5 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2A-FED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FED5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當(dāng)前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
36
This Read/Write register describes the start address of the NAND Flash block address which will be loaded,
programmed, or erased.
F100h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(00000)
FBA
Device
Number of Block
FBA
512Mb
512
FBA[8:0]
Start Address1 Information
Register Information
Description
FBA
NAND Flash Block Address
2.8.10 Start Address2 Register F101h (R/W)
This register is reserved for future use.
2.8.9 Start Address1 Register F100h (R/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。