參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00G003M-D411
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2
文件頁(yè)數(shù)： 13/89頁(yè)
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代理商： KBE00G003M-D411
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
13
Revision 0.1
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions otherwise noted.)
NOTE
: VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for durations of 20 ns or less.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Operating
Current
Sequential Read
I
CC
1
tRC=50ns, CE=V
IL
I
OUT
=0mA
-
8
20
mA
Program
I
CC
2
-
-
8
20
Erase
I
CC
3
-
-
8
20
Stand-by Current(TTL)
I
SB
1
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
Stand-by Current(CMOS)
I
SB
2
CE=V
CC
-0.2, WP=0V/V
CC
-
10
50
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
Input High Voltage
V
IH*
I/O pins
V
CCQ
-0.4
-
V
CCQ
+0.3
V
Except I/O pins
V
CC
-0.4
-
V
CC
+0.3
Input Low Voltage, All inputs
V
IL*
-
-0.3
-
0.4
Output High Voltage Level
V
OH
I
OH
=-100
μ
A
V
CCQ
-0.1
-
-
Output Low Voltage Level
V
OL
I
OL
=100uA
-
-
0.1
Output Low Current(R/B)
I
OL
(R/B)
V
OL
=0.1V
3
4
-
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2503 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KB-E100SRW 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube
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