參數(shù)資料
型號: KBE00F005A
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述: 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2
文件頁數(shù): 48/87頁
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代理商: KBE00F005A
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
48
Revision 1.0
1.8V
13.9K
10.6K
Output
20pF
VOH (DC) = VDDQ - 0.2V, IOH = -0.1mA
VOL (DC) = 0.2V, IOL = 0.1mA
Vtt=0.5 x VDDQ
50
Output
20pF
Z0=50
Figure 2. AC Output Load Circuit
Figure 1. DC Output Load Circuit
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 1.7V
1.95V, T
A
=
-25 to 85
°
C)
Parameter
Value
Unit
AC input levels (Vih/Vil)
0.9 x V
DDQ
/ 0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Input rise and fall time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Output load condition
See Figure 2
相關PDF資料
PDF描述
KBE00F005A-D411 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
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KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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