參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1G08U0A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 12/37頁(yè)
文件大?。?/td> 677K
代理商： K9F1G08U0A
FLASH MEMORY
12
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
AC Characteristics for Operation
NOTE
: 1. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
-
25
25
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
10
-
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
10
-
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
20
-
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
15
-
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
-
100
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
30
-
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
-
30
18
ns
CE Access Time
t
CEA
-
-
45
23
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
-
30
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
-
20
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
15
-
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
10
-
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
0
-
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR
60
60
-
-
ns
Device Resetting Time
(Read/Program/Erase)
t
RST
-
-
5/10/500
(1)
5/10/500
(1)
μ
s
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