參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1G08U0A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 11/37頁(yè)
文件大小： 677K
代理商： K9F1G08U0A
FLASH MEMORY
11
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
Program / Erase Characteristics
NOTE
: 1. Max. time of
t
CBSY
depends on timing between internal program completion and data in
AC Timing Characteristics for Command / Address / Data Input
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
300
700
μ
s
μ
s
Dummy Busy Time for Cache Program
t
CBSY
3
700
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
4
cycles
Spare Array
-
-
4
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
NOTE
: 1. tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
CLE setup Time
t
CLS
25
10
-
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
5
-
-
ns
CE setup Time
t
CS
35
15
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
5
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
15
-
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
25
10
-
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
5
-
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
10
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
5
-
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
45
30
-
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
10
-
-
ns
ALE to Data Loading Time
t
ADL
100
(1)
100
(1)
-
-
ns
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PDF描述
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