參數(shù)資料
型號： K8D1716UTC-FI08
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
中文描述： 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存
文件頁數(shù)： 41/41頁
文件大?。?/td> 684K
代理商： K8D1716UTC-FI08
FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
41
PACKAGE DIMENSIONS
48-Ball Fine Ball Grid Array Package (measured in millimeters)
Side View
0.45
±
0.05
0.08MAX
0
±
0
0
±
0
8.50
±
0.10
Top View
Bottom View
#A1
A
B
C
E
G
D
F
H
0.80 x 5=4.00
A
0
2.00
48-
0.45
±
0.05
2
0
0.20
M
A B
(Datum A)
(Datum B)
0.80
8
±
0
6.00
±
0.10
B
1
4
2
6
5
3
8
±
0
6.00
±
0.10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K8D1716UTC-FI09 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-PC07 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-PC08 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-PC09 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-PI07 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
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參數(shù)描述
K8D1716UTC-FI09 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-PC07 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
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