參數(shù)資料
型號(hào)： K7Q163682A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM
中文描述： 512Kx36
文件頁(yè)數(shù)： 7/17頁(yè)
文件大?。?/td> 503K
代理商： K7Q163682A
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b2 SRAM
- 7 -
Rev 1.0
July 2002
K7Q163682A
K7Q161882A
READ
DDR READ
WRIDDR WRITE
READ NOP
POWER-UP
WRITE NOP
LOAD NEW
WRITE ADDRESS
LOAD NEW
READ ADDRESS
ALWAYS
(FIXED)
WRITE
STATE DIAGRAM
Notes
: 1. Internal burst counter is fixed as 2-bit linear, i.e. when first address is A0+0, next internal burst address is A0+1.
2. "READ" refers to read active status with R=Low, "READ" refers to read inactive status with R=high. "WRITE" and "WRITE" are the same case.
3. Read and write state machine can be active simultaneously.
4. State machine control timing sequence is controlled by K.
ALWAYS
(FIXED)
READ
WRITE
READ
WRITE
READ
WRITE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7R160982B 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM
K7R161882B 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM
K7R163682B 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM
K7R321884M-FC16 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM
K7R323684M 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K7Q801854C-FC16000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MSYNCQUAD DATA RATE SRAMEX18FBGA - Bulk
K7Q801854C-FC16T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MSYNCQUAD DATA RATE SRAMEX18FBGA, T/R - Tape and Reel
K7R160982B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM
K7R161882B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM
K7R161884B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*