參數(shù)資料
型號(hào)： K7N161845M
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM
中文描述： 512Kx36
文件頁(yè)數(shù)： 8/20頁(yè)
文件大?。?/td> 468K
代理商： K7N161845M
K7N163645M
K7N161845M
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 8 -
Rev 1.0
January 2000
STATE DIAGRAM FOR N
t
RAM
TM
BEGIN
WRITE
BURST
WRITE
BEGIN
READ
WRITE
DS
READ
DS
BURST
READ
WRITE
DS
READ
DS
READ
D
WRTE
B
DESELECT
B
R
B
W
READ
WRITE
BURST
BURST
Notes :
1. An IGNORE CLOCK EDGE cycle is not shown is the above diagram. This is because CKE HIGH only blocks the clock(CLK) input and does
not change the state of the device.
2. States change on the rising edge of the clock(CLK)
COMMAND
ACTION
DS
DESELECT
READ
BEGIN READ
WRITE
BEGIN WRITE
BURST
BEGIN READ
BEGIN WRITE
CONTINUE DESELECT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7N163645M 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM
K7N401801M TPS55065EVM Evaluation Module
K7N403601M TPS54162EVM Evaluation Module
K7N401809B-QC20 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
K7N403601B-QC13 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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K7N161845-QC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N161845-QC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N161845-QC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N161845-QI13 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
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