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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7D803671B-HC35 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| 中文描述： | 256Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | K7D803671B-HC35 |
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Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 6 -
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
NOTE
:
1. State transitions ; B
1
=(Load Address), B
1
=(Increment Address, Continue)
B
2
=(Read), B
2
=(Write)
B
3
=(Single Data Rate), B
3
=(Double Data Rate)
BUS CYCLE STATE DIAGRAM
LOAD
NEW ADDRESS
INCREMENT
ADDRESS
INCREMENT
ADDRESS
INCREMENT
ADDRESS
INCREMENT
ADDRESS
READ
SDR
WRITE
SDR
READ
DDR
WRITE
DDR
B
2
, B
3
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
NO OP
POWER
UP
B
2
,B
3
B
1
B
2
,B
3
B
1
B
2
,B
3
B
1
B
1
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
B
1
,
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7I321882M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I323682M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
| K7J161882B | 512Kx36 & 1Mx18 DDR II SIO b2 SRAM |
| K7J163682B | 512Kx36 & 1Mx18 DDR II SIO b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7FU12 | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:SPP3 TRAY KIT FOR 12 FUSION SPLICES |
| K7-H5 | 制造商:MITSUMI 制造商全稱:Mitsumi Electronics, Corp. 功能描述:Adjustable Type Coils |
| K7H803654C-FC16T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MB 8MSYNC DOUBLE DATA RATE X36 BGA - Tape and Reel |
| K7I161882B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
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