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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K6R4008V1B-C10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS SRAM |
| 中文描述： | CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | K6R4008V1B-C10 |
K6R4008V1B-C/B-L, K6R4008V1B-I/B-P
CMOS SRAM
PRELIMINARY
Rev 2.2
May 1999
- 9 -
PACKAGE DIMENSIONS
Units:millimeters/Inches
36-TSOP2-400F
#19
#18
0.075 MAX
0.10 MAX
1.00
0.039
#36
#1
0.15
+0.10
0.006
+0.004
11.76
±
0.20
0.463
±
0.008
(0.50)
(0.020)
18.41
±
0.10
0.725
±
0.004
MAX
18.81
0.741
MAX
1.20
0.047
MIN
0.002
0.05
(0.705)
(0.028)
0.40
±
0.10
0.016
±
0.004
0~8
°
TYP
0.45 ~0.75
0.018 ~ 0.030
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1
0
#1
36-SOJ-400
#36
23.50
±
0.12
0.925
±
0.005
MAX
23.90
0.941
MAX
0.148
3.76
( 0.050
( 0.047
( 0.0375
-0.05
-0.002
0.43
0.017
-0.05
-0.002
0.71
0.028
1.27
0.050
#18
#19
1
0
-0.05
-0.002
0.20
0.008
9.40
±
0.25
0.370
±
0.010
MIN
0.69
0.027
0.10 MAX
11.18
±
0.12
0.440
±
0.005
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6R4008V1B-C12 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C15 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I10 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I12 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I15 | CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6R4008V1B-C12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C15 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I15 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
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