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參數(shù)資料
| 型號： | K5A3280YBC-T755 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MCP MEMORY |
| 中文描述： | MCP的記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 34/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | K5A3280YBC-T755 |
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MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 34 -
Preliminary
Flash SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
ns
CE
F
to BYTE Switching Low or High
t
ELFL
/t
ELFH
-
5
-
5
ns
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
t
FLQZ
-
25
-
25
ns
BYTE Switching High to Output Active
t
FHQV
-
25
-
25
ns
OE
t
FLQZ
CE
F
DQ0-DQ7
BYTE
WE
BYTE Timing Diagram for Write Operation
The falling edge of the last WE signal
CE
F
BYTE
t
HOLD
(t
AH
)
DQ15/A-1
t
ELFL
Address Input (A-1)
t
SET
(t
AS
)
Word to Byte Timing Diagram for Read Operation
Byte to Word Timing Diagram for Read Operation
Data Output
(DQ0-DQ7)
DQ8-DQ14
Data Output
(DQ8-DQ14)
Data Output
(DQ15)
OE
t
FHQV
CE
F
DQ0-DQ7
BYTE
DQ15/A-1
t
ELFH
Data Output
(DQ15)
DQ8-DQ14
Address Input
(A-1)
Data Output
(DQ8-DQ14)
t
CE
t
CE
Data Output
(DQ0-DQ7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3280YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T855 | MCP MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3280YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T755 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:MCP 32M BIT (4M X 8/2M X 16) DUAL BANK NOR FLASH MEMORY / 8M(1M X 8/512K X 16) FULL CMOS SRAM, PBGA69 |
| K5A3280YTC-T755000 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:MCP 32M BIT (4M X 8/2M X 16) DUAL BANK NOR FLASH MEMORY / 8M(1M X 8/512K X 16) FULL CMOS SRAM, PBGA69 |
| K5A3280YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MCP MEMORY |
| K5A3340YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
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