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參數(shù)資料
| 型號： | K4S64163LH-RBE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行在54FBGA移動SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | K4S64163LH-RBE |
K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
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2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643232H | 64Mb H-die (x32) SDRAM Specification |
| K4S643232H-TC50 | 64Mb H-die (x32) SDRAM Specification |
| K4S643232H-TC55 | 64Mb H-die (x32) SDRAM Specification |
| K4S643232H-TC60 | 64Mb H-die (x32) SDRAM Specification |
| K4S643232H-TL50 | 64Mb H-die (x32) SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S64163LH-RE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S643232C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC/L55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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