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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S561632E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mb E-die SDRAM Specification |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/14頁(yè) |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | K4S561632E |
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SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)
CMOS SDRAM
Rev. 1.5 May 2004
Revision History
Revision 1.0 (May. 2003)
- First release.
Revision 1.1 (June. 2003)
- Correct Typo
Revision 1.2 (June. 2003)
- Added 166MHz speed bin in x16
Revision 1.3 (September. 2003)
- Corrected typo in ordering information.
Revision 1.4 (February, 2004)
- Corrected typo.
Revision 1.5 (May, 2004)
Added Note 5. sentense of tRDL parameter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S561632E-TL60 | 256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561633F | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-C | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-E | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-F1H | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S561632E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561632E-TC75 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S561632E-TC75T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:PN may be NE |
| K4S561632E-TL60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561632E-TL75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
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