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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S280832M-TC1L0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | K4S280832M-TC1L0 |
K4S280832M
CMOS SDRAM
Rev. 0.0 Aug. 1999
VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
VDD (V)
I (mA)
0.0
0.2
0.0
0.4
0.0
0.6
0.0
0.7
0.0
0.8
0.0
0.9
0.0
1.0
0.23
1.2
1.34
1.4
3.02
1.6
5.06
1.8
7.35
2.0
9.83
2.2
12.48
2.4
15.30
2.6
18.31
VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
VSS (V)
I (mA)
-2.6
-57.23
-2.4
-45.77
-2.2
-38.26
-2.0
-31.22
-1.8
-24.58
-1.6
-18.37
-1.4
-12.56
-1.2
-7.57
-1.0
-3.37
-0.9
-1.75
-0.8
-0.58
-0.7
-0.05
-0.6
0.0
-0.4
0.0
-0.2
0.0
20
15
10
5
0
3
1
2
Voltage
m
A
I (mA)
m
A
I (mA)
Minimum VDD clamp current
(Referenced to VDD)
Minimum VSS clamp current
0
-10
-20
-30
-40
-3
0
-2
-1
-50
-60
Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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