參數(shù)資料
型號(hào)： K4S161622E-TC80
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 39/42頁(yè)
文件大?。?/td> 675K
代理商： K4S161622E-TC80
CMOS SDRAM
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K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
: Don't care
*Note :
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (32ms)
*Note 1
Precharge
tSS
*Note 2
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
tSS
tSS
Ra
Ca
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Row Active
Precharge
Power-down
Exit
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
tSHZ
*Note 3
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*Note 2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC55 16Mb H-die SDRAM Specification
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K4S161622H-TC70 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC80 16Mb H-die SDRAM Specification
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參數(shù)描述
K4S161622H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622HTC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
K4S161622H-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
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