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參數資料
| 型號： | K4E660412E-TP50 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 16米x 4位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 9/21頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | K4E660412E-TP50 |
CMOS DRAM
K4E660412E,K4E640412E
Industrial Temperature
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RCS
READ CYCLE
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OEZ
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CEZ
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WEZ
DQ0 ~ DQ3(7)
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OLZ
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CAC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E660412E-TP60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JI60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JP45 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JP50 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JP60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E660412E-TP60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E-JC/L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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