參數(shù)資料
型號： JDS2S03S
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
封裝： 1-1K1A, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： JDS2S03S
JDS2S03S
2002-01-16
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDS2S03S
VHF Tuner Band Switch Applications
Suitable for reducing set’s size as a result from enabling high-density
mounting due to 2-pin small packages.
Small total capacitance: CT = 0.7 pF (typ.)
Low series resistance: rs = 0.6 (typ.)
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Forward current
IF
100
mA
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage
VF
IF = 2 mA
0.85
V
Reverse current
IR
VR = 15 V
0.1
A
Reverse voltage
VR
IR = 1 A
30
V
Total capacitance
CT
VR = 6 V, f = 1 MHz
0.7
1.2
pF
Series resistance
rs
IF = 2 mA, f = 100 MHz
0.6
0.9
Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig = 20 mVrms
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1K1A
Weight: 0.0011 g
0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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