參數(shù)資料
型號(hào): JAN2N297A
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 50V五(巴西)總裁| 5A條一(c)|至3
文件頁(yè)數(shù): 17/19頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商: JAN2N297A
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N3227 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
JAN2N3227UB BJT
JAN2N3250A TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
JAN2N3251A TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
JAN2N326 TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JAN2N3000RB 制造商:n/a 功能描述:2N3000
JAN2N3013 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
JAN2N3019 功能描述:兩極晶體管 - BJT JAN2N3019 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
JAN2N3019S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bulk 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MILITARY TRANSISTOR - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:JAN2N3019S
JAN2N3027 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Thyristor SCR 30V 8A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:THYRISTOR SCR 30V 8A 3PIN TO-18 - Bulk