參數(shù)資料
型號： JAN2N2946A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 35V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的TO - 46
文件頁數(shù)： 5/21頁
文件大小： 137K
代理商： JAN2N2946A
MIL-PRF-19500/368F
13
* TABLE I. Group A inspection.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Conditions
Min
Max
Subgroup 1 2/
Visual and mechanical 3/
examination
2071
n = 45 devices, c = 0
Solderability 3/ 4/
2026
n = 15 leads, c = 0
Resistance to 3/ 4/ 5/
solvent
1022
n = 15 devices, c = 0
Temp cycling 3/ 4/
1051
Test condition C, 25 cycles.
n = 22 devices, c = 0
Heremetic seal 4/
Fine leak
Gross leak
1071
n = 22 devices, c = 0
Electrical measurements 4/
Group A, subgroup 2
Bond strength 3/ 4/
2037
Precondition TA = +250°C at t = 24 hrs
or TA = +300°C at t = 2 hrs,
n = 11 wires, c = 0
Decap internal visual (design
verification) 4/
2075
n = 4 devices, c = 0
Subgroup 2
Emitter to base cutoff current
3061
Bias condition D, VEB = 7 V dc
IEBO1
10
A dc
Collector to emitter cutoff
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3041
Bias condition D
VCE = 300 V dc
VCE = 200 V dc
ICEO
2
A dc
Collector to emitter cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3041
Bias condition A, VBE = -1.5 V dc
VCE = 450 V dc
VCE = 300 V dc
ICEX
5
A dc
Collector to base cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3036
Bias condition D
VCB = 360 V dc
VCB = 250 V dc
ICBO1
2
A dc
See footnotes at end of table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N297A TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
JAN2N3227 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
JAN2N3227UB BJT
JAN2N3250A TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
JAN2N3251A TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
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JAN2N297A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
JAN2N3000RB 制造商:n/a 功能描述:2N3000
JAN2N3013 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
JAN2N3019 功能描述:兩極晶體管 - BJT JAN2N3019 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
JAN2N3019S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bulk 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MILITARY TRANSISTOR - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:JAN2N3019S
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