- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353809 > JAN2N2946A TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | JAN2N2946A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 35V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的TO - 46 |
| 文件頁數(shù)： | 18/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | JAN2N2946A |
MIL-PRF-19500/368F
6
1.
Chip size................................. .040 x .040 inch ±.002 inch (1.02 mm x 1.02 mm ±0.05 mm).
2.
Chip thickness........................ .010
± .0015 inch nominal (0.254 mm ±0.038 mm).
3.
Top metal................................ Aluminum 30,000 minimum, 33,000 nominal.
4.
Back metal............................... A. Al/Ti/Ni/Ag 12k/3k/7k/7kminimum,15k/ 5k/10k/10k nominal.
B. Gold 2.500 minimum, 3000 nominal.
5.
Backside................................. Collector.
6.
Bonding pad........................... B = .005 x .008 inch (0.127 mm x 0.203 mm).
E = .010 x .007 inch (0.254 mm x 0.178 mm).
NOTES:
1.
Dimensions are in inches.
2.
Metric equivalents are given for general information only.
FIGURE 3. Physical dimensions JANHCB and JANKCB (die) B versions.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| JAN2N3013 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| JAN2N3019 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT JAN2N3019 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| JAN2N3019S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bulk 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MILITARY TRANSISTOR - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:JAN2N3019S |
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