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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JAN2N1132L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 35V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至39VAR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | JAN2N1132L |
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MIL-PRF-19500/368F
17
NOTES:
1.
The rise time (tr) and fall time (tf) of applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent,
generator source impedance shall be 50 ohms, pulse width = 20
s.
2.
Output sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k, CIN ≤ 50 pF, and rise time ≤ 1.0 s.
FIGURE 5. Pulse response test circuit.
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